INFINEON说明书大全
infineon HYS64D32020[H/G]DL–5–C HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules SO-DIMM DDR SDRAM
该文档介绍了HYS64D32020[H/G]DL–5–C和HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C型号的200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Module SO-DIMM DDR SDRAM的特点和特性。
文件类型: PDF 大小:875 KB
infineon HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM
本文档是关于HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM产品的数据手册。
文件类型: PDF 大小:428 KB
infineon XC164CM 数据手册
XC164CM是Infineon的XC166系列的高性能16位微控制器，具有强大的片上总线，内置高性能可靠的闪存。它不仅仅是一个16位微控制器，还可以通过其巨大的灵活性和小型外形满足工业和汽车应用对小板空间和低成本的要求。
文件类型: PDF 大小:110 KB
infineon V23870-A211x-xx00 数据手册
V23870-A211x-xx00 是英飞凌公司的双向收发器，支持 155 Mb/s 的数据速率，采用了多光子阱结构的 FP 激光二极管，波长为 1310 nm。
文件类型: PDF 大小:182 KB
Infineon TLE 4296 说明书
TLE 4296 GV30、GV33、GV50是一款低压降稳压器，具有3.0V、3.3V、5.0V三种版本，输出电压偏差≤±4%，输出电流30mA，具有禁止输入、低静态电流消耗等特点，工作温度范围-40℃≤Tj≤150℃，过温保护、反向极性保护。
文件类型: PDF 大小:220 KB
infineon Bi-Directional Pigtail SFF Transceiver 155 Mbit/s, 1310 nm Tx / 1550 nm Rx V23870-Ax131-xx00 V23870-Ax132-xx00 数据手册
这是一款双向小型光纤收发器，采用单纤维，传输速度可达155Mbit/s。
文件类型: PDF 大小:684 KB
infineon HYS72D32500GR–[7F/7/8]–B HYS72D64500GR–[7F/7/8]–B HYS72D1285[20/21]GR–[7F/7]–B HYS72D128521GR–8–B Registered DDR SDRAM-Modules DDR SDRAM
1
文件类型: PDF 大小:0 KB
infineon SPI80N06S2-07, SPP80N06S2-07,SPB80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
该数据表提供了SPI80N06S2-07,SPP80N06S2-07,SPB80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor产品的特性参数，包括型号、封装、最大电流、最大功耗、最大工作温度等
文件类型: PDF 大小:420 KB
Infineon SPD30N06S2-15 说明书
SPD30N06S2-15是N通道增强型功率晶体管，其最大连续电流为30A，最大漏-源击穿电压为55V，最大关断电阻为14.7mΩ，工作温度范围为-55℃至175℃，具有防雪崩和dv/dt保护功能。
文件类型: PDF 大小:266 KB
infineon Uni- and Bipolar Hall IC Switches for Magnetic Field Applications TLE 4905 G; TLE 4935 G TLE 4935-2 G; TLE 4945-2 G Bipolar IC
TLE 4905/35/35-2/45-2是专为汽车和工业应用而设计的单极/双极磁场开关。该产品具有温度补偿磁性能、数字输出信号、适用于单极和交变磁场、广泛的温度范围、反向极性保护和电压干扰的输出保护。
文件类型: PDF 大小:90 KB
infineon XC167CI-16F 16-Bit Single-Chip Microcontroller with C166SV2 Core
这是一份关于Infineon Technologies AG公司生产的XC167CI-16F 16位单片微控制器的数据表。该微控制器采用C166SV2核心，具有一系列特点和特性。
文件类型: PDF 大小:1114 KB
infineon HYS72T32000GR (256 MByte) HYS72T64001GR (512 MByte) HYS72T64020GR (512 MByte)
该文档介绍了HYS72T32000GR、HYS72T64001GR和HYS72T64020GR三种低轮廓注册DIMM模块，采用DDR2技术，容量分别为256MB和512MB，适用于240针接口插座。
文件类型: PDF 大小:458 KB
Infineon MEMORY SPECTRUM DATA SHEET
该文件是关于Infineon的Memory Spectrum产品信息，介绍了各种类型的内存产品，包括DDR和DDR2组件和DIMM、CellularRAM、Mobile-RAM、Green DRAM、TwinNAND、SD卡/MultiMediaCard等。
文件类型: PDF 大小:1569 KB
infineon SDT08S60 数据手册
SDT08S60薄膜SiC肖特基二极管，是世界上首款600V肖特基二极管，采用革命性的半导体材料 - 硅碳化物，具有开关行为基准、无反向恢复、开关行为不受温度影响、无正向恢复等特点。
文件类型: PDF 大小:203 KB
INFINEON BAR64... 说明书(1)
BAR64系列是高压电流控制的RF电阻器，适用于RF衰减器和开关。该系列产品具有非常低的反向偏置电容，频率范围在1MHz以上到6GHz，非常适合RF应用
文件类型: PDF 大小:502 KB
INFINEON BSS87 说明书
BSS87是一款N沟道增强型逻辑级MOS管，最大电压为240V，RDS(on)为6欧姆，连续电流为0.26A，dv/dt为6kV/微秒。
文件类型: PDF 大小:197 KB
INFINEON IPB50R199CP 说明书
IPB50R199CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款具有最低 RON x Qg、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力、无铅铅镀层和 RoHS 兼容性的功率晶体管。
文件类型: PDF 大小:290 KB
INFINEON IPA50R350CP 说明书
IPA50R350CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg特征，超低门电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力，符合RoHS标准，适用于硬开关和软开关的SMPS拓扑结构，适用于CCM PFC的笔记本适配器、PDP和LCD电视，适用于PWM的笔记本适配器、PDP和LCD电视。
文件类型: PDF 大小:336 KB
INFINEON SMBT2907A/MMBT2907A 说明书
该文件介绍了2006年3月20日发布的SMBT2907A/MMBT2907A PNP硅开关晶体管的特点和特性，如高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等。同时还提供了最大额定值、热阻、电气特性等详细信息。
文件类型: PDF 大小:177 KB
INFINEON SPW20N60CFD 说明书
SPW20N60CFD是一款新型高压功率晶体管，具有极低的门极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力、内置快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。
文件类型: PDF 大小:352 KB