INFINEON说明书大全

本文件为SPP80N06S2L-07和SPB80N06S2L-07的特性参数表，包括电压、电流、功率、温度、封装等信息。

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IPD90R1K2C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 比值、极端的 dv/dt 额定值、高峰值电流能力，并根据 JEDEC1) 针对目标应用进行认证。该器件符合 RoHS 标准，且无铅。

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该文档介绍了SIPMOS®功率晶体管的特点和特性，包括N沟道、增强型、耐电击等特点。

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ipa60r199cp是一款功率晶体管，具有超低门极电荷、极端dv/dt额定值和高峰值电流能力等特点。

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SPP04N80C3 is a high voltage power transistor with ultra low gate charge, periodic avalanche rated, extreme dv/dt rated, ultra low effective capacitances and improved transconductance. It is available in PG-TO220 package.

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IPI60R385CP CoolMOSTM Power Transistor Features 特性

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BAV99是德州仪器公司生产的一款硅开关二极管，它具有高开关速度、高反向电压、低功耗等特点，可应用于高频开关电路。

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该文件介绍了2006年发布的BC846.-BC850.系列NPN硅AF晶体管的特点和特性，适用于AF输入级和驱动应用，具有高电流增益，低集电极-发射极饱和电压，30 Hz至15 kHz之间的低噪声等特点。

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该数据表主要介绍了SPP16N50C3、SPI16N50C3和SPA16N50C3这三款产品的特点特性，包括额定电流、持续电流、脉冲电流、雪崩能量、雪崩电流、门源电压、功率耗散、工作温度、反向二极管dv/dt和漏源电压斜率等。

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BUZ 73是一款N通道增强型雪崩额定功率晶体管。它具有200V的最大耐压，7A的最大电流和0.4欧姆的导通电阻。

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16位单片微控制器

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IPA90R1K2C3酷MOS™功率晶体管产品具有最低的RONxQg性能指标，极限dv/dt额定值，高峰值电流能力，符合JEDEC1)目标应用资格认证，无铅铅锡，RoHS兼容，超低门极电荷。CoolMOS™900V设计用于：准谐振反激/正向拓扑结构、PC Silverbox和消费类应用、工业SMPS。

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该文件介绍了一种名为VDS的产品，具有多种特点和特性，包括温度范围、电压、功率等。

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该文件是关于BTS 5235-2L智能高侧功率开关的数据表，介绍了该产品的特点和特性。

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该文件是NXP的P-TO220-3-31 MOSFET数据手册

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这是一款CoolMOSTM功率晶体管产品，具有固有的快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极端的dv /dt额定值、高峰值电流能力等特点。

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BFR182W是一款NPN硅射频晶体管，适用于低噪声、高增益的宽带放大器，集电极电流范围为1mA到20mA，具有8GHz的频率特性和1.2dB的增益特性。

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该文档介绍了2006年发布的BAS70系列硅肖特基二极管的特点和特性，包括用途、封装类型、最大额定值等。

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IGP03N120H2 IGW03N120H2 高性能 IGBT 晶体管，具有 1200V 额定电压和 3A 额定电流。该 IGBT 晶体管采用 Infineon 的高性能 HighSpeed2 技术，具有优异的开关性能和温度稳定性。适用于各种功率转换应用，例如 SMPS、灯具镇流器和 ZVS 转换器。

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该文件介绍了BCV61型号的NPN硅双晶体管，可用作电流镜，具有良好的热耦合和VBE匹配，高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。

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