INFINEON说明书大全
INFINEON - IPW50R199CP 数据手册
IPW50R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg特性、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和符合RoHS的无铅电镀等特点。
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INFINEON - BFP620 数据手册
该文件介绍了BFP620 Apr-21-2004 1 NPN硅锗射频晶体管的特点和特性，适用于广泛的无线应用，特别适用于CDMA和WLAN应用。其在1.8 GHz和6 GHz时的噪声系数分别为0.7 dB和1.3 dB，最大稳定增益分别为21.5 dB和11 dB。该晶体管具有高可靠性的金属化处理。
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INFINEON SN7002W 数据手册
SN7002W是一款N-通道增强型逻辑电平dv/dt额定小信号晶体管，其最大电压为60V，RDS(on)为5欧姆，ID为0.23安培。
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INFINEON SPP06N60C3 说明书
SPP06N60C3 CoolMOSTM Power Transistor 是一款高性能功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、高峰值电流能力、超低有效电容和极端dv/dt额定值等特性。
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INFINEON IPP60R299CP 说明书
IPP60R299CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款低 RonxQg、低栅极电荷、高 dv/dt 额定、高峰值电流能力的功率晶体管。
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INFINEON BSP171P 说明书
BSP171P SIPMOS®小信号晶体管是增强型P沟道器件，具有逻辑电平、雪崩额定电压、dv/dt额定电压和无铅引线镀层，符合RoHS要求。
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INFINEON IPI90R1K0C3 说明书
IPI90R1K0C3 CoolMOS™功率晶体管具有最低的固有电阻乘以总电荷，极高的dv/dt耐压能力和高峰值电流承受能力。它适用于准谐振反激/正激拓扑、PC Silverbox和消费类应用、工业开关电源等领域。
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INFINEON BC856...BC860 说明书
BC856, BC857, BC860 是三种 PNP 硅 AF 晶体管，具有高电流增益、低发射极-集电极饱和电压和低噪声，适用于 AF 输入级和驱动应用。
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INFINEON SPP21N50C3/SPI21N50C3/SPA21N50C3 说明书
SPP21N50C3 SPI21N50C3 和 SPA21N50C3 是 Cool MOS™ 功率晶体管，其特点是全球领先的 RDS(on) 和极低的有效电容。这些晶体管具有周期性雪崩等级、极端 dv/dt 等级、超低栅极电荷和改进的传导率。
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INFINEON IPA90R500C3 说明书
IPA90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RON x Qg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，符合JEDEC1)目标应用要求，铅免铅镀锡，RoHS兼容，超低栅极电荷CoolMOS™ 900V 设计用于：准谐振反冲/正向拓扑结构，PC银盒和消费类应用，工业SMPS
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INFINEON IPI60R199CP 说明书
IPI60R199CP CoolMOSTM Power Transistor 是用于服务器和电信领域的硬开关拓扑的理想选择。其具有极低的RONxQg、超低的栅极电荷和极端的dv/dt额定值，以及高峰值电流能力。
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INFINEON BAV99... 说明书
BAV99 是安森美半导体推出的一款硅开关二极管，具有高开关速度、高耐压和低功耗等特点，应用于高频开关电源、电池充电器、DC/DC 转换器等领域
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INFINEON IKW25T120 说明书
IKW25T120 是英飞凌推出的一款低损耗双封装 IGBT，采用 TrenchStop 和 Fieldstop 技术，具有软、快速恢复的 anti-parallel EmCon HE 二极管。
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INFINEON SPP08N80C3 SPA08N80C3 说明书
SPP08N80C3 SPA08N80C3是一款低导通电阻、极低门极电荷、高绝缘能力功率晶体管，最大电压800V，额定电流8A。
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INFINEON - PROFET BTS721L1 说明书
该数据手册介绍了PROFET® BTS721L1四通道高侧功率开关的特点特性，包括过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载释放）等
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