INFINEON说明书大全

PROFET® ITS436L2是一款用于工业应用的高侧功率开关，内置过流保护、过压保护、短路保护、过温保护等保护功能。

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BSM 100 GD 120 DN2是英飞凌的IGBT功率模块，其最大集电极-发射极电压为1200V，最大集电极电流为150A。

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该文件介绍了PMA7110 RF发射器IC，具有内置的8051微控制器，LF 125kHz ASK接收器和FSK/ASK 315/434/868/915 MHz发射器。它描述了该产品的特点和特性。

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IPP60R099CP CoolMOSTM功率晶体管的特点包括：全球最佳Rds,on在TO220封装中、超低栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等。

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该数据表格提供了SPB21N50C3 Cool MOS™ Power Transistor产品的最大额定值、热特性、封装类型、封装尺寸、引脚排列、用途等信息

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BAR66 是 ST 公司生产的一种硅 PIN 二极管阵列，用于过压防护。其最大反向电压为 150V，最大正向电流为 200mA，最大功率为 250mW，工作温度范围为 -55 至 125 度。

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IPW60R165CP CoolMOSTM功率晶体管的特点包括最低的R ON x Q g，超低的栅极电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力，符合JEDEC1）的目标应用要求，无铅铅镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专门设计用于服务器和电信的硬开关拓扑。

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这是一份关于SIPMOS功率晶体管的数据表，详细介绍了产品的特点和特性。

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该数据表介绍了PROFET® BTS 443 P 高 side 功率开关的特性和规格。该开关具有内置的保护功能，包括反向电池保护、短路保护、电流限制、过载保护、过热关断、过电压保护 (包括负载回弹)、电源接地保护和电源 Vbb 保护。该开关还具有快速磁化和静电放电 (ESD) 保护。该开关适用于 12V 和 24 V DC 接地的负载，可替代电气机械继电器、保险丝和离散电路。

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ITS 4140N 是英飞凌公司生产的一款高侧功率开关，应用于工业应用场景，具有电流控制输入、短路保护、过载保护、过压保护、开关电感负载、负压钳位、热关断、ESD 保护、Gnd 和 Vbb 保护、低待机电流、反向电池保护等特点

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TDA 5201是无线组件单转换接收器的技术规格

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SGP30N60HS SGW30N60HS是英飞凌的一种高压IGBT，该器件采用NPT-技术制造，具有低Eoff、短路耐受时间短、工作频率高等特点。

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BSO094N03S OptiMOS®2 Power-Transistor是一种快速开关的MOSFET，适用于开关电源。它具有优化的技术，适用于笔记本电脑DC/DC转换器。该产品通过JEDEC认证，可以广泛应用于目标应用领域。它是N沟道逻辑电平器件，具有优秀的门电荷×导通电阻（FOM）产品，具有非常低的导通电阻。它的热阻特性优越，具有耐雪崩特性。产品符合无铅镀层和RoHS标准。

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IPP50R350CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg技术指标、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等特点，适用于硬开关和软开关的开关模式电源拓扑结构，以及CCM PFC、PWM等应用领域。

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SPU07N60S5和SPD07N60S5是CoolMOS™大功率晶体管，具有600V的电压和0.6Ω的RDS(on)。它们具有世界领先的RDS(on)、极低的门控电荷、极端的dv/dt额定值、极低的有效电容和改进的传导率。

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IPB50R250CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款低功耗、高性能的功率晶体管，具有最低的 RON x Qg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt 额定值、高峰电流能力、无铅铅镀层，符合 RoHS 标准，符合 JEDEC 1) 的目标应用。

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IPB60R520CP 是一款 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RON x Qg 比值、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰电流能力以及 JEDEC 认证1)、符合 RoHS 标准等特点。

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IDT10S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT推出的一款高性能肖特基二极管，具有无反向恢复和无正向恢复特性，无温度影响的开关特性，高浪涌电流能力，铅无铅引线镀层，符合RoHS标准，通过JEDEC1)认证，适用于CCM PFC和电机驱动等高速开关应用。

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该数据表为SMBT3904.MMBT3904的特性参数，该型号是NPN硅开关晶体管，具有高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点，SMBT3904S / U型号内部有2个绝缘的晶体管，具有良好的匹配性

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