INFINEON说明书大全

该文件介绍了SGP30N60和SGW30N60两种快速IGBT产品的特点，包括较低的Eoff、低导通损耗、短路耐受时间、NPT技术应用、JEDEC认证等。

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该数据表是关于SPB12N50C3 Cool MOS 功率晶体管的，包括产品的最大额定电流、最大峰值电流、反向二极管dv/dt、最大功耗、工作温度范围等信息。

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BSP295 是 SIPMOS 小信号晶体管，其特点是 N 沟道、增强型、dv/dt 额定、PG-SOT-223 封装。

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SPP18P06P SIPMOS Power-Transistor是用于P通道电源开关应用的增强型三极管，其特点是具有Avalanche额定值和175°C的操作温度。

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SPW47N65C3 CoolMOSTM 功率晶体管，具有以下特点：全球最优 R ds,on 在 TO247、低栅极电荷、极端 dv/dt 评级、高峰值电流能力、符合 JEDEC1) 针对目标应用的认证、无铅铅封装；符合 RoHS 要求。

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SPD08P06P和SPU08P06P是SIPMOS功率晶体管，具有以下特性：P通道、增强型、雪崩电压额定、dv/dt额定、175°C工作温度。

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SPP08P06P SIPMOS功率晶体管，特点为P通道，增强型，雪崩额定，dv/dt额定，工作温度为175°C

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本文件为英飞凌的MOSFET器件的数据手册，该器件具有高电流输出能力，支持高压低压的应用，可应用于电源、开关电源等场景。

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IPW60R125CP是CoolMOSTM功率晶体管，具有最低的RONxQg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1)目标应用的资格认证，以及无铅镀铅和RoHS合规性。CoolMOS CP专门设计用于：服务器和电信的硬开关拓扑结构

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BSP171P SIPMOS® 小信号晶体管的特点是 P 通道、增强型、逻辑电平、雪崩额定、dv/dt 额定、无铅铅镀层，符合 RoHS 标准。

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SPD02N60C3/SPU02N60C3是Cool MOS™系列高压功率管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和150°C工作温度等特点

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BSC022N03S OptiMOS®2 功率晶体管是一款快速开关的SMPS，针对笔记本DC/DC转换器进行了优化。它已通过JEDEC1认证，适用于目标应用。该晶体管具有N沟道、逻辑电平、极低的导通电阻R DS(on)、优异的门极电荷x R DS(on)乘积(FOM)、卓越的热阻、雪崩额定、dv/dt额定等特点。

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BSP 315 P SIPMOS Small-Signal-Transistor，是一款 P-Channel，Enhancement mode，Avalanche rated，Logic Level，dv/dt rated的电子元器件。

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BSP317P SIPMOS是德州仪器推出的一款N沟道增强型逻辑级MOS管，其最大漏极电压为-250V，最大耗散功率为1.8W，最大工作温度为-55-150℃

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SPA20N60CFD是酷摩斯大功率晶体管，具有极低的反向恢复电荷和极低的栅极电荷，适用于高峰电流能力、周期性雪崩评级和目标应用的JEDEC0)认证

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BCV62是一种PNP硅双晶体管，适用于用作电流镜。具有良好的热耦合和VBE匹配，高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。

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IPP90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 比率、极端的 dv/dt 等级以及高峰电流能力。它已经通过 JEDEC1) 认证，适用于目标应用。该产品不含铅，符合 RoHS 标准，具有极低的栅极电荷。CoolMOS™ 900V 专为以下应用而设计：准谐振反激/正向拓扑结构、PC 银盒和消费应用以及工业 SMPS。

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PROFET® ITS612N1 是英飞凌科技公司推出的一款智能双通道高侧功率开关，适用于工业应用。它具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载浪涌）、快速退磁感性负载、反向电池保护、欠压和过压关断、开漏诊断输出、开路负载检测、CMOS兼容输入、地和Vbb掉电保护、静电放电（ESD）保护等功能。它可用于12 V 和 24 V DC 接地的工业应用中的µC 兼容功率开关，用于所有类型的阻性、感性和电容性负载，可以替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。

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IPD50R520CP是一款功率晶体管，它的特点是RONxQg最低、极低的门极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰电流能力、无铅铅镀层、符合RoHS标准，并根据JEDEC1)的目标应用进行了鉴定。

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