INFINEON说明书大全

BSP296 是由Infineon Technologies生产的一款N沟道增强型逻辑级功率MOSFET。其最大直流电流为1.1A，最大关断电阻为0.7Ω，最大反向二极管dv/dt为6kV/µs，最大电源耗散为1.79W。该设备采用PG-SOT-223封装，适用于-55°C至+150°C的温度范围。

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IPW90R500C3是CoolMOS™ 900V系列的功率晶体管，具有极低的RON x Qg、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和Pb-free lead plating；RoHS兼容性；超低栅极电荷

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BSM 50 GB 120 DN2是英飞凌公司生产的半桥型IGBT功率模块，最大直流电流为78A，最大集电极-发射极电压为1200V。

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该文件介绍了SGP10N60A、SGB10N60A和SGW10N60A三种快速IGBT产品的特点和特性。这些产品采用NPT技术，具有较低的Eoff和导通损耗，适用于电机控制和逆变器应用。NPT技术使得这些产品具有非常紧密的参数分布、高强度和温度稳定性，并且可以进行并联开关。具体的产品参数和PSpice模型可以在相关网站上找到。

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SDP04S60, SDD04S60 SDT04S60是世界首款600V肖特基二极管，开关特性达到业界领先水平，无反向恢复，无温度影响，开关速度快，非常适合用于功率因数校正应用。

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SPU01N60C3 SPD01N60C3 是一款新型高压 MOS 功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、超低有效电容和改进的导通率。

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IKP04N60T是英飞凌推出的一款功率半导体产品，采用了TrenchStop®和Fieldstop技术，具有低VCE(sat)、高可靠性、高开关速度等特点。

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IDT16S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT公司生产的一款高性能的肖特基二极管，具有开关行为基准、无反向恢复/无正向恢复、无温度影响的开关行为、高浪涌电流能力等特点。

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IPW50R350CP是一款功率晶体管，采用最新技术，具有最低的RON x Qg，超低的栅极电荷，极端dv/dt等特点。该产品适用于硬开关和软开关SMPS拓扑结构、CCM PFC用于灯具镇流器、LCD和PDP电视以及PWM用于灯具镇流器、LCD和PDP电视。

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IKA15N60T是一款600V IGBT，具有软恢复的反并联EMCon HE二极管，最大结温为175°C，短路耐受时间为-5µs。

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BSM 200 GB 120 DN2是Bosh公司生产的一款IGBT模块，其最大额定值为Vce为1200V，IC为290A。

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BDP947, BDP949是两款硅NPN晶体管，具有高集电极电流、高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。

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IPP90R800C3 CoolMOS™ Power Transistor 是英飞凌公司推出的一款功率晶体管，该产品具有最低的R ON x Qg、极高的dv/dt、高峰值电流能力等特点，适用于各种开关电源应用。

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IKP03N120H2、IKW03N120H2是英飞凌的高性能功率半导体，适用于SMPS、Lamp Ballast、ZVS-Converter等应用。该系列产品具有温度稳定的特性，并通过了JEDEC2认证。

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PROFET® ITS621L1是英飞凌推出的一款智能双通道高侧功率开关，该产品具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载回弹）等功能，可应用于工业应用中，适用于12 V和24 V直流接地负载，可替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。

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IPD60R385CP CoolMOS® Power Transistor 是全球最佳 R ds,on 在 TO252，超低栅极充电，极端dv/dt额定，高峰电流能力，通过JEDEC1) 认证，符合RoHS标准。

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该文件介绍了BSP89型号的SIPMOS小信号晶体管的特点和特性，包括最大电压、漏极电流、功率耗散、工作温度等参数。

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该文件介绍了2005-09-29 BFP193W 1 NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于低噪声、高增益放大器和线性宽带放大器，频率范围为2 GHz，fT = 8 GHz，在900 MHz处增益为1 dB。

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该文件介绍了SPP11N65C3, SPA11N65C3和SPI11N65C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩能力、极限dv/dt能力、高峰值电流能力和改进的跨导等。

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IPP90R1K2C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RONxQg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，针对目标应用符合JEDEC1）的资格，无铅铅镀层；符合RoHS标准；超低栅极电荷CoolMOS™ 900V 专为：准谐振反飞 / 前拓扑结构；PC 银盒和消费应用；工业 SMPS 而设计。

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