INFINEON说明书大全

BFG196是一款NPN硅射频晶体管，适用于1.5 GHz以下的低噪声、低失真宽带放大器，可在20 mA至80 mA的集电极电流下工作。它还可用作DECT和PCN系统的功率放大器。其特性包括7.5 GHz的截止频率和900 GHz时1.5 dB的增益。该器件具有ESD防护，需注意静电放电的处理。

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BFG 194 是射频三极管，主要应用于天线和电信系统中的低失真宽带放大器，集电极电流为 20mA 至 80mA

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BFG193是一款NPN硅射频晶体管，可用于低噪声、高增益放大器，频率最高可达2 GHz。

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BFG 19S是一款NPN硅射频晶体管，适用于1.5GHz以下天线和通信系统的低噪声低失真宽带放大器，集电极电流范围为10-70mA

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BFG 135A是德州仪器（TI）生产的一款射频晶体管，集成了发射极稳压电阻，最大电流150mA，最大功率1W，最大频率2GHz。

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BFQ19S是一种NPN硅射频晶体管，用于天线和电信系统中的低噪声、低失真宽带放大器，工作频率可达1.5 GHz，集电极电流为10 mA至70 mA。

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BF999 是一个N通道MOSFET，适用于高频应用，如FM应用。

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这份文档是关于BGA622 GPS的测试报告，报告中列出了BGA622 GPS的各种性能参数，如供电电流、插入功率增益、噪声系数、输入回损、输出回损、反向隔离等。

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本文介绍了BGA622硅锗通用低噪声放大器MMIC在1800-2500 MHz接收器应用中的特点和特性，包括70 GHz ft SiGe技术、50欧姆匹配输出、预匹配输入、集成输出直流阻塞电容、集成RF电感、低功耗、关闭或休眠模式、无条件稳定、低外部元件数量、卓越的噪声系数等。

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BGA619 是 Infineon 公司推出的一种低噪声放大器 (LNA) MMIC ，它具有三种增益步骤和高输入阻抗，非常适合用于 1900 MHz PCS 无线前端 (CDMA 2000)。

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BGA616是Infineon Technologies生产的一种硅锗宽带MMIC放大器

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Secure Mobile Solutions的Silicon Discretes是一款安全的移动解决方案，该文档介绍了BGA614硅锗宽带MMIC放大器的特点和特性。

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BGA612 是英飞凌科技有限公司发布的硅锗宽带MMIC放大器，该产品具有良好的性能特点

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该文件是关于BGA430和BGB540 MMIC的应用说明书，介绍了它们在欧洲、亚洲和北美DBS LNB I.F.放大器链中的应用

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BGA428是一款高增益、低噪声放大器MMIC。它适用于无线硅离散器件。

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BGA420是SIEGET公司生产的一款50欧姆增益块，具有无条件稳定性，增益|S21|2为13dB，IP3out为13dBm，噪声系数NF为2.3dB，反向隔离>28dB，回退损耗IN/OUT>12dB。

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MMIC BGA416 RF Cascode Amplifier Data sheet，BGA416是Infineon Technologies AG推出的一款射频开关器件

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该文件介绍了Infineon Technologies生产的P-HEMT CFH800产品的特点和特性，包括低噪声系数和高关联增益，适用于高IP3接收器级别的应用，最大工作频率为4GHz，适用于PCS CDMA和UMTS应用。产品具有低成本小型封装，采用SOT343封装。

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该产品是一款低噪声的GaAs HEMT，具有高相关增益、低成本的塑料封装，适用于20GHz以下的低噪声前端放大器和DBS下变换器，已在12GHz进行过RF测试

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CFY67是一种高性能的微波半导体器件，具有超低噪声特性，适用于专业超低噪声放大器。

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