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该文件介绍了BAT 62-07W硅肖特基二极管的特点和特性，包括低阻障二极管适用于高达GHz频率的探测器，最大允许工作温度和最大电压等。

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BAT 62-03W是低功耗肖特基二极管，工作电压可达40V，最大电流可达40mA，封装类型为SOD-323。

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BAT 62-02W是一款低功耗二极管，可用于检测高达GHz的频率。

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BAT 62 是一款低势垒二极管，用于高达 GHz 频率的探测器。

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BAT 60A是一款硅肖特基二极管，具有极低的VF下降。它适用于电源、低压应用的钳位和保护，以及检测和升压转换。

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BAT 18 是低功耗 VHF / UHF 开关，可在 10 MHz 以上使用。它是一款低正向电阻的 PIN 二极管。

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本文档介绍了BAT 17W型硅肖特基二极管的应用领域和特点。它适用于VHF / UHF范围的混频器应用和高速开关应用。

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该数据表格为 BAT 17-07 的技术参数表，它是 BAT 公司的一款用于 VHF / UHF 范围的 mixer 应用和高速度开关应用的硅肖特基二极管。该二极管的最大反向电压为 4 V，最大正向电流为 130 mA，最大功耗为 150 mW，工作温度范围为 -55 至 150 °C。

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该文件介绍了BAT 17系列硅肖特基二极管的特点和特性，适用于VHF/UHF范围的混频器应用和高速开关应用。

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BAT 165 是 BAT 公司生产的一款硅肖特基二极管，额定反向电压为 40 V，额定正向电流为 750 mA。

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BAT 15-099R是Silicon Crossover Ring Quad Schottky Diode，是低阻隔二极管，用于双平衡混频器、相位检测器和调制器。

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BAT 15-099 是一款硅双肖特基二极管，具有低噪声特性，适用于 DBS 混频器应用，工作频率可达 12 GHz。

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BAT 15-05W是肖特基二极管，可用于DBS混频器应用，最高频率可达12GHz。该二极管具有低噪声系数和低势垒类型。

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该数据表格主要介绍了BAT 15-04W的数据信息，包括最大额定值、电气特性等。

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BAT 15-03W 是德州仪器(TI)生产的一款硅肖特基二极管，该二极管具有低噪声特性，可用于DBS混频器应用，最大反向电压为4V，最大正向电流为100mA，额定功耗为100mW，工作温度范围为-55℃至150℃，存储温度范围为-55℃至150℃

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BAT 14-099R是一种硅交叉环四极甲烷二极管，适用于双平衡混频器、相位检测器和调制器等应用。它具有中等势垒特性。

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该文件是一份关于BAT 14-077S硅单片翻转芯片肖特基二极管的数据表。该二极管适用于W频段应用，最高可达80 GHz。它具有ESD敏感性，需要注意处理预防措施。

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BAT 14-077D是GaAs Components公司生产的一款硅双翻转芯片肖特基二极管，该二极管具有中等势垒混频器二极管特性，适用于80GHz的W波段应用。

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该文档介绍了BAT 14-03W型号的硅肖特基二极管的特点和特性，包括用途、噪音系数、最大额定值等。

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BFG 235 是德州仪器生产的一款 NPN 硅射频晶体管。它适用于天线和电信系统中 2 GHz 以内的低失真宽带输出放大器电路。它还适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器。BFG 235 集成了发射极阻尼电阻，其 fT 为 5.5 GHz。

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