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APT12057JFLL 是 APT 公司的 ISOTOP® Power MOS 7® N 通道增强型功率 MOSFET 的型号，该型号具有低导通损耗和高开关频率的特点。

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APT12045L2VR is a 1200V 26A 0.450� N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

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该数据表是APT12040L2LL MOSFET的技术参数表。

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该文件是关于GDS SOT-227 GSSD ISOTOP的介绍，该产品具有UL认证，特点是具有高度安全性和优异的性能。

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本文件是关于APT12040JLL的技术信息，包括特点特性，最大额定值等。

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这是一款1200V 30A的肖特基二极管的技术参数表

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APT1201R6BVR is a high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs

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APT1201R5BVR 1200V 10A 1.500Ω TO-247 Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用了新型工艺，降低了 JFET 效应，提高了封装密度，降低了 on 电阻。

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该文档是关于APT1201R4的特性和技术参数，包括最大电压、连续电流、脉冲电流、漏电流、门极电压、门极阈值电压等

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APT1201R2 是 APT 公司生产的一款 MOSFET 电源开关管，具有 1200V 的击穿电压和 12A 的持续电流，封装类型为 TO-247。

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APT11GF120KR 是一款新型高压功率 IGBT，采用非穿通技术。该器件具有高压耐压、低导通压降、大饱和栅极电流和快速开关特性，适用于汽车起动机、照明、逆变器、电动汽车和其他电力电子应用。

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此数据表提供了 APT11058JFLL 的最大额定值，特性/测试条件，静电电气特性等信息。

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该文档提供了APT10M30AVR的最大额定值、静电电气特性、漏源击穿电压、开关状态漏电流、漏源开关状态电阻、零栅压漏电流、零栅压漏电流、栅源漏电流、门阈值电压等信息。

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这份PDF文件是APT10M25SVR数据手册，详细介绍了该产品的静电特性、额定电压、额定电流、额定功率、最大功耗、线性降额因子、操作温度范围、存储温度范围、引脚温度、重复放电能量、单脉冲放电能量等信息

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APT10M25BVFR is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. It minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

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APT10M25BVR是一款高压N通道增强型功率MOSFET，具有更小的JFET效应、更高的封装密度和更低的导通电阻。通过优化的栅极布局，APT10M25BVR还实现了更快的开关速度。

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APT10M19BVFR is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the cost of the device. This product is widely used in the field of power supplies.

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APT10M19BVR 是 APT 公司的一款功率器件，额定电压 100V，额定电流 75A，额定阻值 0.019Ω，最大电流 300A，最大电压 100V，最大功率 300W，最大温度 150°C，最小温度 -55°C。

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这份文件介绍了APT10M19SVR型号产品的最大额定值和静态电气特性。该产品是一款高压N沟道增强模式功率MOSFET，具有较低的开态电阻和高的打包密度。文档中详细描述了产品的工作原理、最大电压、最大电流、最大功率等特性。

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