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该文件介绍了型号为APT10M1LVR和APT10M11LVR的产品的最大额定值、特性和测试条件。其中包括漏源击穿电压、开态漏源电流、漏源开态电阻、零栅极电流、栅极泄漏电流和栅阈电压等参数。

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本文件是APT10M11JVR的数据手册，主要介绍了该产品的最大额定值、静态电气特性、动态电气特性、封装尺寸等参数。

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该文档介绍了型号为APT10M1B2VR和APT10M11B2VR的产品的最大额定值和静态电气特性。

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本文件为100V 100A 0.009µF APT10M09B2VR的技术信息手册，主要介绍了产品的最大额定值、静态电气特性等。

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这是一份关于APT10M09B2VFR和APT10M09LVFR的技术信息手册，详细介绍了其最大额定值、静电特性、电气特性等。

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本文件为APT10M07JVR的数据手册，详细介绍了该产品的特点特性，包括最大额定值、静电特性、封装等。

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该文件介绍了AP100S20LCT型号的高压肖特基二极管的特点和特性，包括最大直流反向电压、最大峰值重复反向电压、最大工作峰值反向电压、最大平均正向电流、RMS正向电流等。

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APT100S20B是ADVANCED POWER公司生产的一款开关电源模块。该模块具有超低损耗、低噪声开关、更高的可靠性系统、提高系统功率密度等优点。

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APT100GT120JU3 是一款功率器件，其最大集电极-发射极击穿电压为1200V，连续集电极电流为140A，脉冲集电极电流为280A，最大功率耗散为480W。该器件采用ISOTOP®封装，具有低压降、低尾电流、低漏电流、高可靠性等特点。

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该文件介绍了型号为APT100GN60B2(G)的产品的典型性能曲线和最大额定值。该产品采用了最新的场效应管和沟道栅极技术，具有超低的VCE(ON)，非常适合低频应用。

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APT100GN120J是一款高压IGBT，额定电压为1200V，额定电流为100A。具有超低VCE(ON)，非常适合对低频应用要求绝对零电压关断的应用场合。

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APT100GF60JU3是APT公司生产的一款NPT IGBT器件，其最大集电极-发射极击穿电压为600V，连续集电极电流为100A，最大功率耗散为416W。

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APT100GF60JRD 600V 140A 是 G E E C 公司的 Fast IGBT™ 系列产品，采用非穿通技术，具有低压降、高频切换、低尾电流、超低漏电流、 RBSOA 和 SCSOA 等特性

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本文件是关于APT100GF60JR IGBT的技术参数,包括额定参数、最大参数、静态电气参数等

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该文件介绍了一款产品的特点和特性，包括漏源击穿电压、开启状态漏源电流、漏源开通电阻、零门压漏源电流、门源漏电流等。

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该文件介绍了一个产品的特性和测试条件，包括漏极-源极击穿电压、导通状态漏极电流、漏极-源极导通电阻、零栅极电流等。

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APT10088HVR 是一款 N 通道增强型功率 MOSFET，具有 1000V 的击穿电压和 11A 的最大连续电流。该产品采用 Power MOS V 技术，可最大限度地减少 JFET 效应、提高封装密度并降低导通电阻。

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Power MOS V®是一种新一代的高压N-沟道增强型功率MOSFET。这种新技术最大限度地减小了JFET效应，增加了封装密度，并降低了导通电阻。Power MOS V®还通过优化的栅极布局实现了更快的开关速度。

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