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APT10086BVFR是安森美生产的一款高压N通道增强型功率MOSFET，具有低压降、快速恢复体二极管、100%雪崩测试等特点。

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本文件为APT10086数据手册，介绍了该产品的静态电气特性、最大额定值、可重复非重复浪涌电流、重复浪涌能量和单脉冲浪涌能量等信息。

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该文件介绍了G D S产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、漏-源开态电阻、零栅压漏电流等。

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APT10050JVFR 是 ISOTOP® 公司的一款肖特基二极管，额定电压 1000V，最大电流 19A，最大功率 0.500 W，封装类型 SOT-227。

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APT10050JVR 是ISOTOP 公司生产的一种功率器件，其额定电压为1000V，持续电流为19A，导通电阻为0.500欧姆。

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APT10050JN 是 ISOTOP 公司的一款功率 MOSFET，其特点是最大电压 1000V，最大电流 50A，最大功率 500W。

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该文件介绍了特定产品的特性和测试条件，包括漏极-源极击穿电压、开态漏极电流、漏极-源极开态电阻、零栅极电压漏极电流、栅极-源极泄漏电流、栅极阈值电压等。

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APT10050B2VR是德州仪器公司生产的一款功率晶体管，其特点是额定电压为1000V，额定电流为21A，漏源电阻为0.500Ω，额定功率为21W，温度范围为-55℃到150℃。

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APT10050B2VFR和APT10050LVFR是APT公司推出的一款新型功率MOSFET器件，其最大电压为1000V，最大电流为21A，典型阻抗为0.500欧姆。

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该文件介绍了APT10050型号的产品的最大额定值、技术特性和静态电特性。

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这是一份APT10040B2VFR的技术资料，包含了该产品的最大额定值、静电特性等信息

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APT1004RCN是一款高压功率MOSFET，其最大电压为1000V，最大电流为3.6A，RDS(ON)为4.00Ω。

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该文档介绍了一种具有以下特点的产品：1.漏极-源极击穿电压（VGS = 0V，ID = 250µA）；2.漏极-源极导通电阻（VGS = 10V，2A）；3.零栅极电压漏极电流（VDS = 1000V，VGS = 0V）；4.零栅极电压漏极电流（VDS = 800V，VGS = 0V，TC = 125°C）；5.栅极-源极泄漏电流（VGS = ±30V，VDS = 0V）；6.栅阈电压（VDS = VGS，ID = 1mA）。

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该文件介绍了一种产品的特点和特性，包括漏极-源极击穿电压、漏极-源极导通电阻、零栅压漏极电流、栅-源泄漏电流和栅压门限电压等。

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该文件介绍了一款型号为APT10035JLL的产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、导通电流、漏-源导通电阻、零栅压漏电流等参数。

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此数据表为APT10035JFLL的数据表，详细列出了其特点特性。

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本文件是关于APT10035的产品信息，包括特性、最大额定值、静电特性等。

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该文件介绍了产品的最大额定值和技术信息，包括电压、电流、功率等参数。同时提供了产品的静态电特性，如漏电流、门极电压和漏极电流等。

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这是一份关于APT10030L2VFR的数据手册

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