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APT1002RCN 1000V 5.5A 2.00Ω是Advanced Power Technology公司生产的一款高压功率MOSFET器件。它具有1000V的最大漏源电压，5.5A的最大连续漏源电流，2.00Ω的最大漏源导通电阻。

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本文档是APT1002RBN和APT1002R4BN两款产品的详细规格信息，包括最大电压、电流、功率、温度范围等

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该数据表格是关于APT10026RKVR的静态电气特性。

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这是APT10026L2LL的技术信息，包含其最大额定值、静态电气特性等信息。

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该文档介绍了一款具有高电压、高电流、低电阻等特点的电力设备，以及其静态电气特性和最大额定值。

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查询APT10026JNR供应商

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该文件介绍了N-通道增强模式高压功率MOSFETs的特性和参数。产品型号为APT10026JN，品牌为Power MOS IV®。该MOSFET具有1000V的漏源电压、33A的连续漏极电流和0.26Ω的漏源电阻。

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该文件介绍了一个型号为APT10026JLL的产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、开关状态漏电流、漏-源开态电阻、零栅极电流等参数。

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本文件是关于APT10026JFLL的产品信息，包括额定电压、额定电流、漏电流、开关速度等。

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这是APT10025PVR的数据手册，它是一款高压N通道增强型功率MOSFET。该产品具有低JFET效应、高结温、小封装和低导通电阻的特点。

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该文件介绍了一种名为APT10025JVR的产品的特点特性，包括漏极-源极击穿电压、开态漏极电流、漏极-源极开态电阻、零栅-源电流等。该产品具有1000V的漏极电压和34A的漏极电流。

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该数据表格为 APT10025JVFR 产品的静电电气特性

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该文档介绍了一种具有高电压、高电流和低电阻特性的功率MOSFET产品。它具有高达1000V的漏极-源极击穿电压，最大34A的开态漏极电流和0.25Ω的漏极-源极开态电阻。该产品还具有低的零栅极电流和漏极电流，以及高的栅极-源极阈值电压。

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该文件是关于APT10021JLL的技术信息，包括该产品的最大额定值、静电特性等

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该文件介绍了一个具有以下特点和特性的产品：1.漏源击穿电压；2.开态漏极电流；3.漏源导通电阻；4.零栅极电压漏电流；5.栅源泄漏电流；6.栅阈电压。

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这是一款APT1001RSVR型号的肖特基二极管的数据手册。该二极管的最大电压为1000V，最大电流为11A，最大阻抗为1.000Ω。

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APT1001RBVR是Power MOS V®系列产品，是一款高压N通道增强型功率MOSFET，具有低压降和小封装的特点。

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该数据表是APT1001RBN的数据表，主要包含了该产品的电压、电流等参数，以及最大工作温度等信息。

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该文件介绍了一种N沟道增强型功率MOSFET产品的特点和特性，包括其电压、电流、电阻等参数，以及温度特性和热特性。

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查询APT1001R1SN供应商

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